HYB25D512800CE-5
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HYB25D512800CE-5

制造商:
描述:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$9.8

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规格
零件状态
Discontinued at
安装类型
Surface Mount
工作温度
0°C ~ 70°C (TA)
可编程
Not Verified
内存类型
Volatile
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字,页
-
时钟频率
200 MHz
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V
内存容量
512Mbit
存储器结构
64M x 8
内存格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR
封装 / 外壳
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商器件封装
66-TSOP II
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